중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로(CXMT)가 차세대 D램 핵심 기술로 꼽히는 '4F제곱(4F²)' 셀 구조 개발에서 기술 진전을 이뤘다며 이를 적용한 신제품을 연내 선보이겠다고 예고했다. 12일 홍콩 일간 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 차오칸위 CXMT 최고경영자(CEO)는 지난 주말 중국 상하이에서 열린 산업 행사에서 차세대 기술인 4F² 구조 개발에 핵심적인 진전이 있었다고 밝혔다. 이 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리 제품을 연말까지 출시한다는 방침도 밝혔다. 위 내용은 아래 기사에서 인용했습니다. 중국 반도체 기업들이 빠르게 기술을 발전시키며 국내 반도체 기업들과 경쟁을 시작할 수 있다는 위기감에 국내 증시는 큰 폭으로 조정받았습니다. 투자에 참고하세요. https://n.news.naver.com/article/277/0005827256?sid=101 Naver 中CXMT "4F²셀구조 기술 진전…새 DDR5 메모리 연내 공개" 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로(CXMT)가 차세대 D램 핵심 기술로 꼽히는 '4F제곱(4F²)' 셀 구조 개발에서 기술 진전을 이뤘다며 이를 적용한 신제품을 연내 선

2차전지 셀 및 소재 섹터는 나쁘지 않아 보입니다. 투자에 참고만 하세요. ❤4

DS투자증권 자동차/2차전지 Analyst 최태용 [2차전지] LG에너지솔루션 3Q26 잠정실적 Comment ■ 3Q26P 잠정: 영업이익 컨센서스 +131.6% 상회, ESS 물량 성장과 보상금 인식 영향 - 3Q26P 잠정 매출액 9.6조원(+59.0% YoY, +27.6% QoQ), 영업이익(AMPC 포함) 7,560억원(+25.7% YoY, +567.3% QoQ)으로 분기 최대 매출 경신, 컨센서스 각각 +9.6%, +131.6% 상회 - AMPC 보조금 4,169억원(+73.0% QoQ). 수정 영업이익(보상금 포함) 3,391억원으로 3개 분기 만에 흑자전환 - ESS는 팩 생산 병목 완화로 출하량 50% 가까이 증가해 성장 주도. EV향 파우치는 전사 가동률 60% 상회 추정 - 전사 출하 증가가 고정비 부담 완화로 이어지며 이익 개선 폭 확대 ■ 서프라이즈 요인은 ESS 물량과 일회성 보상금, 이익의 성격 구분 필요 - 보상금은 연간 가이던스에 이미 전액 반영된 항목. 3분기 인식분 약 4,000억원 추정 - 보상금 추정분 제외 영업이익(AMPC 포함)도 약 3,560억원으로 컨센서스 상회. ESS 물량이 기존 예상을 상회하며 실질적 개